A silicon substrate material based on silicon has a semi-insulating interior layer isolating the bulk of the substrate material from the top layers, where integrated circuits are to be built. The semi-insulating layer is created by producing submicron particles having Schotty barriers or pn-hereto-barriers and distributing X particles so that the depletion regions then produced around neighbouring particles overlap. Such particles will then deplete the silicon material from electric charge carriers. The substrate material can then be processed using the standard silicon processing methods and allows integrated circuits to be manufactured which are suitable for high frequency applications. A silicon substrate is made by sputtering a metal such as Co in a silicon wafer and then silicidizing the sputtered Co atoms by means of an annealing treatment. A top silicon wafer having a silicon dioxide layer at its bottom surface is then bonded to the sputted layer. Finally the top wafer is thinned to provide a layer thickness suitable for the processing steps required in the manufacture of components.

Un matériel de substrat de silicium basé sur le silicium a une couche intérieure de semi-finale-insulating isoler la majeure partie du matériel de substrat des couches supérieures, où des circuits intégrés doivent être construits. La couche de semi-finale-insulating est créée en produisant les particules submicroniques ayant des barrières ou des PN-CI-JOINT-BARRIÈRES de Schotty et distribuant des particules de X de sorte que les régions d'épuisement aient alors produit autour du chevauchement voisin de particules. De telles particules épuiseront alors le matériel de silicium des porteurs de charge électrique. Le matériel de substrat peut alors être traité en utilisant les méthodes de transformation standard de silicium et permet aux circuits intégrés d'être fabriqués qui conviennent aux applications à haute fréquence. Un substrat de silicium est fait en pulvérisant un métal tel que la Co dans une gaufrette de silicium et puis silicidizing les atomes pulvérisés de Co au moyen d'un traitement de recuit. Une gaufrette de silicium supérieure ayant une couche de bioxyde de silicium sur son fond est alors collée sur sputted la couche. Enfin la gaufrette supérieure est amincie pour fournir une épaisseur de couche appropriée pour les étapes de transformation exigées dans la fabrication des composants.