A process and system for forming a low dielectric film in a semiconductor fabrication process are disclosed. Initially, a carbon-doped silicon oxide film is deposited on a semiconductor wafer. Light energy, such as ultraviolet (UV) energy, is then applied to the deposited film to cure the film. In one embodiment, at least 30% of the light energy is at a frequency greater than that of visible light. In the preferred embodiment, the application of the light energy to the wafer does not significantly heat the wafer. The invention further contemplates a cluster tool or system suitable for forming and curing the dielectric film. The cluster tool includes a first chamber coupled to an organosilane source, a second chamber configured to apply light energy to a wafer received in the second chamber, and a robotic section suitable for controlling movement of wafers between the first chamber and the second chamber.

Un processo e un sistema per formare una pellicola dielettrica bassa in un processo di montaggio a semiconduttore sono rilevati. Inizialmente, una pellicola carbonio-verniciata dell'ossido del silicone è depositata su una cialda a semiconduttore. L'energia chiara, quale energia (UV) ultravioletta, allora è applicata alla pellicola depositata per curare la pellicola. In un incorporamento, almeno 30% dell'energia chiara è una frequenza a più grande di quella di luce visibile. Nel metodo di realizzazione preferito, l'applicazione dell'energia chiara alla cialda non riscalda significativamente la cialda. L'invenzione ulteriore contempla un attrezzo o un sistema della serie di ingranaggi adatto per formare ed il trattamento della pellicola dielettrica. L'attrezzo della serie di ingranaggi include un primo alloggiamento accoppiato ad una fonte del organosilane, un secondo alloggiamento configurato per applicare l'energia chiara ad una cialda ricevuta nel secondo alloggiamento e una sezione robot adatta a movimento di controllo delle cialde fra il primo alloggiamento ed il secondo alloggiamento.