A semiconductor device has a first capacitor component and a second capacitor component on a silicon substrate. In the semiconductor device, the first capacitor component has a first lower electrode composed of an impurity-doped polycrystal silicon film, a first insulation film formed on the first lower electrode, and a first upper electrode formed on the first insulation film. The second capacitor component has a second lower electrode formed from an impurity-doped polycrystal silicon film having an impurity concentration different from an impurity concentration of the polycrystal silicon film of the first lower electrode, a second insulation film formed on the second lower electrode and a second upper electrode formed on a second insulation film.

Прибора на полупроводниках имеет первый компонент конденсатора и второй компонент конденсатора на субстрате кремния. В прибора на полупроводниках, первый компонент конденсатора имеет первый более низкий электрод составленный примес-danno1 допинг polycrystal пленки кремния, первой пленки изоляции сформированной на первом более низком электроде, и первом верхнем электроде сформированном на первой пленке изоляции. Второй компонент конденсатора имеет второй более низкий электрод сформированный от примес-danno1 допинг polycrystal пленки кремния имея концентрацию примеси отличающуюся от концентрация примеси polycrystal пленки кремния первого более низкого электрода, второй пленки изоляции сформированной на втором более низком электроде и втором верхнем электроде сформированных на второй пленке изоляции.