Group III-nitride quaternary and pentenary material systems and methods are disclosed for use in semiconductor structures, including laser diodes, transistors, and photodetectors, which reduces or eliminates phase separation and provides increased emission efficiency. In an exemplary embodiment the semiconductor structure includes a first ternary, quaternary or pentenary material layer using an InGaAlNP layer of a first conduction type formed substantially without phase separation, a quaternary or pentenary material active layer using an InGaAlNP active layer substantially without phase separation, and a third ternary, quaternary or pentenary InGaAlNP material layer of an opposite conduction type formed substantially without phase separation.

Het iii-Nitride van de groep worden de quaternaire en pentenary materiële systemen en de methodes onthuld voor gebruik in halfgeleiderstructuren, met inbegrip van laserdioden, transistors, en fotodetectoren, dat vermindert of fasescheiding elimineert en verhoogde emissieefficiency verstrekt. In een voorbeeldige belichaming omvat de halfgeleiderstructuur een eerste ternaire, quaternaire of pentenary materiële laag gebruikend een laag InGaAlNP van een eerste geleidingstype dat wezenlijk zonder fasescheiding wordt gevormd, een quaternaire of pentenary materiële actieve laag wezenlijk gebruikend een actieve laag InGaAlNP zonder fasescheiding, en een derde ternaire, quaternaire of pentenary materiële laag InGaAlNP van een tegenovergesteld geleidingstype dat wezenlijk zonder fasescheiding wordt gevormd.