The purpose of this invention is to provide a method for manufacturing capacitors free of polarization fatigue even when the treatment is performed at a low temperature. Amorphous layer 32 made of lead zirconate titanate and containing excess lead is formed on lower electrode 13 made of iridium. The amorphous layer is crystallized by a heat treatment to form PZT film 14. Structural transition layer 33 containing excess Pb formed on the surface of PZT film 14 during the aforementioned crystallization is removed by means of dry etching. In this way, a PZT capacitor is obtained.

Ο σκοπός αυτής της εφεύρεσης είναι να παρασχεθεί μια μέθοδος για τους πυκνωτές χωρίς κούραση πόλωσης ακόμα και όταν εκτελείται η επεξεργασία σε μια χαμηλή θερμοκρασία. Το άμορφο στρώμα 32 φιαγμένο από zirconate titanate μολύβδου και περιορισμός του υπερβολικού μολύβδου διαμορφώνεται στο χαμηλότερο ηλεκτρόδιο 13 φιαγμένο από ιρίδιο. Το άμορφο στρώμα κρυσταλλώνεται από μια θερμική επεξεργασία για να διαμορφώσει PZT την ταινία που 14, δομικό στρώμα 33 μετάβασης που περιέχει το υπερβολικό PB που διαμορφώνεται στην επιφάνεια PZT της ταινίας 14 κατά τη διάρκεια της προαναφερθείσας κρυστάλλωσης αφαιρούνται με τη βοήθεια της ξηράς χαρακτικής. Κατ' αυτό τον τρόπο, ένας πυκνωτής PZT λαμβάνεται.

 
Web www.patentalert.com

< (none)

< Method of verifying pretrained neural net mapping for use in safety-critical software

> Semiconductor structures using a group III-nitride quaternary material system with reduced phase separation

> (none)

~ 00049