A semiconductor memory device includes: a memory block including a plurality of memory cells; and a test pattern generation circuit for generating at least one test pattern for use in testing the memory block. A first bus line for coupling the memory block and the test pattern generation circuit has a larger width than that of a second bus line for coupling the memory block to the exterior of the semiconductor memory device.

Приспособление памяти полупроводника вклюает: блок памяти включая множественность ячейкы памяти; и цепь поколения телевизионнаяа испытательная таблица для производить по крайней мере один телевизионнаяа испытательная таблица для пользы в испытывать блок памяти. Первая линия шины для соединять блок памяти и цепь поколения телевизионнаяа испытательная таблица имеет более большую ширину чем та из второй линии шины для соединять блок памяти к экстерьеру приспособления памяти полупроводника.