A dual hybrid magnetic tunnel junction (MTJ)/giant magnetoresistance (GMR) sensor is provided having an MTJ stack, a GMR stack and a common free layer. The MTJ stack includes a first antiferromagnetic (AFM) layer, an first antiparallel (AP)-pinned layer and a tunnel barrier layer. The GMR stack, operating in the current perpendicular to the plane (CPP) mode, includes a second AFM layer, a second AP-pinned layer and a spacer layer. The first and second AFM layers are set to pin the magnetizations of the first and second AP-pinned layers perpendicular to the ABS and in the same direction with respect to each other resulting in an additive response to a signal field of the MTJ and GMR stacks. The thickness of the spacer layer in the GMR stack is chosen to provide a negative ferromagnetic coupling field between the second AP-pinned layer and the free layer which opposes the positive ferromagnetic coupling field between the first AP-pinned layer and the free layer across the tunnel barrier layer. The net ferromagnetic coupling field at the free layer can be reduced to a small value resulting in an improved bias point for the free layer of the MTJ/GMR sensor.

Una giunzione magnetica ibrida doppia del traforo (il sensore di magnetoresistenza di MTJ)/giant (GMR) è fornito avendo una pila di MTJ, una pila di GMR e uno strato libero comune. La pila di MTJ include un primo (AFM) strato antiferromagnetic, un primo antiparallel (strato AP)-appuntato e uno strato di sbarramento del traforo. La pila di GMR, funzionante nella perpendicolare corrente al modo dell'aereo (CPP), include un secondo strato del AFM, un secondo strato AP-appuntato e uno strato del distanziatore. I primi e secondi strati del AFM sono regolati per appuntare le magnetizzazioni dei primi e secondi strati AP-appuntati perpendicolari all'ABS e nello stesso senso riguardo a vicenda con conseguente risposta cumulativa ad un campo del segnale delle pile di GMR e di MTJ. Lo spessore dello strato del distanziatore nella pila di GMR è scelto per fornire un campo ferromagnetico negativo dell'accoppiamento fra il secondo strato AP-appuntato e lo strato libero che oppone il campo ferromagnetico positivo dell'accoppiamento fra il primo strato AP-appuntato e lo strato libero attraverso lo strato di sbarramento del traforo. Il campo ferromagnetico netto dell'accoppiamento allo strato libero può essere ridotto ad un piccolo valore con conseguente punto diagonale migliorato per lo strato libero del sensore di MTJ/GMR.