This invention is directed to a method for rapid plasma etching of materials which are difficult to etch at a high rate. The method is particularly useful in plasma etching silicon nitride layers more than five microns thick. The method includes the use of a plasma source gas that includes an etchant gas and a sputtering gas. Two separate power sources are used in the etching process and the power to each power source as well as the ratio between the flow rates of the etchant gas and sputtering gas can be advantageously adjusted to obtain etch rates of silicon nitride greater than two microns per minute. Additionally, an embodiment of the method of the invention provides a two etch step process which combines a high etch rate process with a low etch rate process to achieve high throughput while minimizing the likelihood of damage to underlying layers. The first etch step of the two-step method provides a high etch rate of about two microns per minute to remove substantially all of a layer to be etched. In the second step, a low etch rate process having an etch rate below about two microns per minute is used to remove any residual material not removed by the first etch step.

Esta invenção é dirigida a um método para gravura a água-forte rápida do plasma dos materiais que são difíceis de gravar em uma taxa elevada. O método é particularmente útil em camadas do nitride de silicone gravura a água-forte do plasma mais de cinco mícrons grosso. O método inclui o uso de um gás da fonte do plasma que inclua um gás etchant e um gás sputtering. Duas fontes de poder separadas são usadas no processo gravura a água-forte e no poder a cada fonte de poder assim como a relação entre as taxas de fluxo do gás etchant e do gás sputtering pode vantajosamente ser ajustada para obter taxas gravura em àgua forte do nitride de silicone mais extremamente de dois mícrons por o minuto. Adicionalmente, uma incorporação do método da invenção fornece um processo da etapa duas gravura em àgua forte que combine um processo elevado da taxa gravura em àgua forte com um processo baixo da taxa gravura em àgua forte para conseguir o throughput elevado ao minimizar a probabilidade dos danos às camadas subjacentes. A primeira etapa gravura em àgua forte do método two-step fornece uma taxa elevada gravura em àgua forte de aproximadamente dois mícrons por o minuto para remover substancialmente toda a camada a ser gravada. Na segunda etapa, em um processo baixo da taxa gravura em àgua forte ter uma taxa gravura em àgua forte abaixo de aproximadamente dois mícrons por o minuto é usado para remover todo o material residual não removido pela primeira etapa gravura em àgua forte.