In a non-volatile semiconductor memory device and a method for manufacturing the device, each memory cell and its select Tr have the same gate insulating film as a Vcc Tr. Further, the gate electrodes of a Vpp Tr and Vcc Tr are realized by the use of a first polysilicon layer. A material such as salicide or a metal, which differs from second polysilicon (which forms a control gate layer), may be provided on the first polysilicon layer. With the above features, a non-volatile semiconductor memory device can be manufactured by reduced steps and be operated at high speed in a reliable manner.

Σε μια αμετάβλητη συσκευή μνήμης ημιαγωγών και μια μέθοδο για τη συσκευή, κάθε κύτταρο μνήμης και το επίλεκτο TR του έχουν την ίδια μονώνοντας ταινία πυλών με ένα Vcc TR περαιτέρω, τα ηλεκτρόδια πυλών ενός Vpp TR και Vcc TR πραγματοποιούνται με την χρήση ενός πρώτου στρώματος πολυπυρίτιων. Ένα υλικό όπως το salicide ή ένα μέταλλο, που διαφέρει από το δεύτερο πολυπυρίτιο (που διαμορφώνει ένα στρώμα πυλών ελέγχου), μπορεί να παρασχεθεί στο πρώτο στρώμα πολυπυρίτιων. Με τα ανωτέρω χαρακτηριστικά γνωρίσματα, μια αμετάβλητη συσκευή μνήμης ημιαγωγών μπορεί να κατασκευαστεί από τα μειωμένα βήματα και να χρησιμοποιηθεί με την υψηλή ταχύτητα κατά τρόπο αξιόπιστο.