A semiconductor memory provided with ferroelectric layers, that includes memory cells, buffer cells, and buffer circuits. The memory cells each include a ferroelectric memory FET having a ferroelectric layer between a gate electrode and a semiconductor layer. The buffer cells are capable of storing data from the memory cells to prevent the data from being lost when a disturbing voltage is applied to the memory cells. The buffer circuits are for transferring the data in the memory cells to the buffer cells and for further writing the transferred data again to the memory cells.

Ein Halbleiterspeicher versah mit ferroelectric Schichten, die einschließt Speicherzellen, Pufferzellen und Pufferstromkreise. Die Speicherzellen jede schließen einen ferroelectric Gedächtnis FET mit ein, der eine ferroelectric Schicht zwischen einer Gate-Elektrode und einer Halbleiterschicht hat. Die Pufferzellen sind zur Speicherung von von Daten von den Speicherzellen, um die Daten an verloren sein zu verhindern fähig, wenn eine beunruhigende Spannung an den Speicherzellen angewendet wird. Die Pufferstromkreise sind für die Daten in den Speicherzellen auf die Pufferzellen und für weiteres Schreiben die geübertragenen Daten auf die Speicherzellen wieder übertragen.