A DFB semiconductor laser device including: a semiconductor substrate; and an active layer and a diffraction grating overlying the semiconductor substrate, the diffraction grating having a composition of GaInNAs(Sb) and absorbing light having a laser emission wavelength of the active layer. The DFB semiconductor laser device having a higher SMSR can be provided which stably operates in a wider range of injection current by proving the diffraction grating formed by the GaInNAs(Sb) having the composition for efficiently absorbing light which has the laser emission wavelength of the active layer.

Un dispositivo del laser del semiconductor de DFB incluyendo: un substrato del semiconductor; y una capa activa y una rejilla de difracción que cubren el substrato del semiconductor, la rejilla de difracción que tiene una composición de GaInNAs(Sb) y luz absorbente que tienen una longitud de onda de la emisión del laser de la capa activa. El dispositivo del laser del semiconductor de DFB que tiene un SMSR más alto puede ser proporcionado que funcione estable en una gama más amplia de la corriente de inyección probando la rejilla de difracción formada por el GaInNAs(Sb) que tiene la composición para la luz eficientemente que absorbe cuál tiene la longitud de onda de la emisión del laser de la capa activa.