The present invention provides a method improving the adhesion between
inter metal dielectric (IMD) layers by performing a HF dip etch to treat
the surface of an oxide, silicon nitride or Silicon oxynitride insulating
layer before an overlying low-K layer is formed. The present invention
provides a method of fabricating a low-K IMD layer 20 over an oxide,
Silicon oxynitride (SiON), or nitride IMD layer 14 with improved adhesion.
First, a 1st inter metal dielectric (IMD) layer 14 is formed over a
substrate. Next, the invention's novel HF dip etch is performed on the 1st
IMD layer 14 to form a treated surface 16. Next, a 2nd BMD layer composed
of a low-K material is formed over the rough surface 16 of the 1st IMD
layer 14. The treated surface 16 improves the adhesion between a 1st IMD
layer oxide (oxide, SiN or SiON) and a low k layer. Subsequent photoresist
strip steps do not cause the 1st IMI layer 14 and the 2nd IMD layer 20
(low-K dielectric) to peel.
La présente invention fournit une méthode améliorant l'adhérence entre les couches diélectriques en métal inter (IMD) en exécutant gravure à l'eau forte de immersion d'à haute fréquence pour traiter la surface couche de isolation d'un oxyde, d'un nitrure de silicium ou de silicium d'oxynitride avant qu'une basse-K couche sus-jacente soit formée. La présente invention fournit à une méthode de fabriquer un bas-K excédent de la couche 20 d'IMD par oxyde, oxynitride de silicium (SiON), ou couche 14 de la nitrure IMD l'adhérence améliorée. D'abord, une couche diélectrique 14 1er en métal inter (IMD) est formée au-dessus d'un substrat. Après, gravure à l'eau forte de immersion d'à haute fréquence du roman de l'invention est exécuté sur la 1ère couche 14 d'IMD pour former une surface traitée 16. Après, une 2ème couche de BMD composée de bas-K matériel est formée au-dessus de la surface approximative 16 de la 1ère couche 14 d'IMD. La surface traitée 16 améliore l'adhérence entre un 1er oxyde de couche d'IMD (oxyde, péché ou SiON) et une basse couche de k. Les étapes suivantes de bande de vernis photosensible ne causent pas l'IMI 1ère couche 14 et la 2ème couche 20 (bas-K diélectrique) d'IMD à la peau.
