A memory device includes dual tunnel junction memory cells having a magnetic tunnel junction in series with a tunnel junction. The magnetic tunnel junction can be changed from a first resistance state to a second resistance state during a write operation. The magnetic tunnel junction can have a differing resistance-voltage characteristic than the tunnel junction, and the differing resistance-voltage characteristics allow the magnetic tunnel junction to be blown without blowing the tunnel junction during a write operation. The change in resistance state of the magnetic tunnel junction changes the resistance of the selected memory cell, which is detectable during a read operation.

Ein größtintegriertes Speicherbauelement schließt die Doppeltunnelverzweigung Speicherzellen ein, die eine magnetische Tunnelverzweigung in der Reihe mit einer Tunnelverzweigung haben. Die magnetische Tunnelverzweigung kann von einem ersten Widerstand Zustand zu einem zweiten Widerstand Zustand während eines schreibenbetriebes geändert werden. Die magnetische Tunnelverzweigung kann eine unterscheidene Widerstand-Spannung Eigenschaft als die Tunnelverzweigung haben, und die unterscheidenen Widerstand-Spannung Eigenschaften erlauben, daß die magnetische Tunnelverzweigung durchgebrannt wird, ohne die Tunnelverzweigung während eines schreibenbetriebes durchzubrennen. Die Änderung im Widerstand Zustand der magnetischen Tunnelverzweigung ändert den Widerstand der vorgewählten Speicherzelle, die während eines Lesevorganges nachweisbar ist.