The present invention provides for a high quality Group III-V compound semiconductor, a method of manufacturing the same, and a light emitting element with an excellent emission characteristic which incorporates such a Group III-V compound semiconductor. The Group III-V compound semiconductor has a structure in which a fifth-layer, which is formed by a Group III-V compound semiconductor which is expressed by a general formula Ga.sub.a Al.sub.b N (a+b=1, 0.ltoreq.a.ltoreq.1, 0.ltoreq.b.ltoreq.1), a fourth-layer having a lower impurity concentration, which is formed by a Group III-V compound semiconductor which is expressed by a general formula Ga.sub.a' Al.sub.b' N (a'+b'=1, 0.ltoreq.a'.ltoreq.1, 0.ltoreq.b'.ltoreq.1), and a first-layer, which is formed by a Group III-V compound semiconductor which is expressed by a general formula In.sub.x Ga.sub.y Al.sub.z N (x+y+z=1, 0 A invenção atual fornece para um semicondutor composto elevado do grupo III-V da qualidade, um método de manufaturar o mesmo, e um elemento emitindo-se claro com uma característica excelente da emissão que incorpore um semicondutor tão composto do grupo III-V. O semicondutor composto do grupo III-V tem uma estrutura em que uma quinto-camada, que seja dada forma por um semicondutor composto do grupo III-V que seja expressado por uma fórmula geral Ga.sub.a Al.sub.b N (a+b=1, 0.ltoreq.a.ltoreq.1, 0.ltoreq.b.ltoreq.1), uma quarto-camada que tem uma concentração de impureza mais baixa, que seja dada forma por um semicondutor composto do grupo III-V que seja expressado por uma fórmula geral Ga.sub.a ' Al.sub.b ' N (a'+b'=1, 0.ltoreq.a'.ltoreq.1, 0.ltoreq.b'.ltoreq.1), e por uma primeiro-camada, que seja dada forma por um semicondutor composto do grupo III-V que seja expressado por uma fórmula In.sub.x Ga.sub.y Al.sub.z N do general (x+y+z=1, 0