High quality epitaxial layers of monocrystalline materials can be grown overlying monocrystalline substrates such as large silicon wafers by forming a compliant substrate for growing the monocrystalline layers. An accommodating buffer layer comprises a layer of monocrystalline oxide spaced apart from a silicon wafer by an amorphous interface layer of silicon oxide. The amorphous interface layer dissipates strain and permits the growth of a high quality monocrystalline oxide accommodating buffer layer. The accommodating buffer layer is lattice matched to both the underlying silicon wafer and the overlying monocrystalline material layer. Any lattice mismatch between the accommodating buffer layer and the underlying silicon substrate is taken care of by the amorphous interface layer. Mixed technology structures are provided in which a microprocessor is formed entirely in a monocrystalline compound semiconductor material layer overlying the silicon substrate. A microprocessor is also provided utilizing portions of the silicon substrate and the monocrystalline compound semiconductor material layer.

Τα υψηλής ποιότητας κρυσταλλικά στρώματα των monocrystalline υλικών μπορούν να αυξηθούν επικαλύπτοντας τα monocrystalline υποστρώματα όπως οι μεγάλες γκοφρέτες πυριτίου με τη διαμόρφωση ενός υποχωρητικού υποστρώματος για την ανάπτυξη των monocrystalline στρωμάτων. Ένα στρώμα απομονωτών προσαρμογής περιλαμβάνει ένα στρώμα του monocrystalline οξειδίου που χωρίζεται κατά διαστήματα εκτός από μια γκοφρέτα πυριτίου από ένα άμορφο στρώμα διεπαφών του οξειδίου πυριτίου. Το άμορφο στρώμα διεπαφών διαλύει την πίεση και επιτρέπει την αύξηση ενός υψηλής ποιότητας monocrystalline στρώματος απομονωτών προσαρμογής οξειδίων. Το στρώμα απομονωτών προσαρμογής είναι δικτυωτό πλέγμα που αντιστοιχείται και την ελλοχεύουσα γκοφρέτα πυριτίου και το monocrystalline υλικό στρώμα κάλυψης. Οποιοδήποτε κακό συνδυασμό δικτυωτού πλέγματος μεταξύ του στρώματος απομονωτών προσαρμογής και του ελλοχεύοντος υποστρώματος πυριτίου από το άμορφο φροντίζει στρώμα διεπαφών. Οι μικτές δομές τεχνολογίας παρέχονται στις οποίες ένας μικροεπεξεργαστής διαμορφώνεται εξ ολοκλήρου σε ένα monocrystalline σύνθετο υλικό στρώμα ημιαγωγών επικαλύπτοντας το υπόστρωμα πυριτίου. Ένας μικροεπεξεργαστής παρέχεται επίσης χρησιμοποιώντας τις μερίδες του υποστρώματος πυριτίου και του monocrystalline σύνθετου υλικού στρώματος ημιαγωγών.