A silicon ingot is manufactured in a hot zone furnace by pulling the ingot from a silicon melt in the hot zone furnace in an axial direction, at a pull rate profile of the ingot from the silicon melt in the hot zone furnace that is sufficiently high so as to prevent interstitial agglomerates but is sufficiently low so as to confine vacancy agglomerates to a vacancy rich region at the axis of the ingot. The ingot so pulled is sliced into a plurality of semi-pure wafers each having a vacancy rich region at the center thereof that includes vacancy agglomerates and a pure region between the vacancy rich region and the wafer edge that is free of vacancy agglomerates and interstitial agglomerates. According to another aspect of the present invention, the ingot is pulled from the silicon melt in the hot zone furnace at a pull rate profile of the ingot from the silicon melt in the hot zone furnace that is sufficiently high so as to prevent interstitial agglomerates, but is also sufficiently low as to prevent vacancy agglomerates. Accordingly, when this ingot is sliced into wafers, the wafers are pure silicon wafers that may include point defects but that are free of vacancy agglomerates and interstitial agglomerates.

Een siliciumbaar wordt vervaardigd in een hete streekoven door de baar van een siliciumsmelting in de hete streekoven in een asrichting, bij een profiel van het trekkrachttarief van de baar van de siliciumsmelting in de hete streekoven te trekken die voldoende hoog is om tussenliggende agglomeraten te verhinderen maar voldoende laag is om vacatureagglomeraten tot een vacature rijk gebied bij de as van de baar te beperken. De zo getrokken baar wordt daarvan in een meerderheid van semi-zuivere wafeltjes elk gesneden die een vacature rijk gebied heeft op het centrum dat vacatureagglomeraten en een zuiver gebied tussen het vacature rijke gebied en de wafeltjerand omvat die van vacatureagglomeraten en tussenliggende agglomeraten vrij is. Volgens een ander aspect van de onderhavige uitvinding, wordt de baar getrokken van de siliciumsmelting in de hete streekoven bij een profiel van het trekkrachttarief van de baar van de siliciumsmelting in de hete streekoven die voldoende hoog is om tussenliggende agglomeraten te verhinderen, maar is ook voldoende laag om vacatureagglomeraten te verhinderen. Dienovereenkomstig, wanneer deze baar in wafeltjes wordt gesneden, zijn de wafeltjes zuivere siliciumwafeltjes die punttekorten kunnen omvatten maar die van vacatureagglomeraten en tussenliggende agglomeraten vrij zijn.

 
Web www.patentalert.com

< (none)

< Use of an ionic conductor in order to improve photochromism, and composition comprising it

> Process for hydroformylation using a catalyst based on cobalt and/or rhodium employed in a two-phase medium

> (none)

~ 00048