A method for producing a capacitor having a dielectric and first and second capacitor electrodes in a semiconductor circuit device formed on a semiconductor substrate, includes forming a trench in a layer applied to the substrate. An electrically conductive layer for the second capacitor electrode is deposited inside the trench and at least regionally conformally with side walls thereof. An auxiliary layer acting as a space-holder for the dielectric is conformally deposited inside the trench and on the electrically conductive layer for the second capacitor electrode. An electrically conductive layer for the first capacitor electrode is conformally deposited inside the trench and on the auxiliary layer. The auxiliary layer is at least partially removed to expose a hollow layer in at least a partial region between the two electrically conductive layers for the first and second capacitor electrodes. The dielectric is deposited into the exposed hollow layer between the two electrically conductive layers. A semiconductor memory device and a method for producing the device include producing the capacitor after production of the transistor and metallizing layers associated therewith for connection of the word and bit lines, in a configuration projecting upward from the plane; placing the capacitor in a trench formed inside a contact metallizing layer for the second electrode terminal of the transistor; and setting a depth of the trench to be equivalent to a layer thickness of the metallizing layer.

Μια μέθοδος για έναν πυκνωτή που έχει διηλεκτρικά και πρώτα και δεύτερα ηλεκτρόδια πυκνωτών σε μια συσκευή κυκλωμάτων ημιαγωγών που διαμορφώνεται σε ένα υπόστρωμα ημιαγωγών, περιλαμβάνει τη διαμόρφωση μιας τάφρου σε ένα στρώμα που εφαρμόζεται στο υπόστρωμα. Ένα ηλεκτρικά αγώγιμο στρώμα για το δεύτερο ηλεκτρόδιο πυκνωτών κατατίθεται μέσα στην τάφρο και τουλάχιστον περιφερειακά conformally στους πλευρικούς τοίχους επ' αυτού. Ένα βοηθητικό στρώμα που ενεργεί ως διαστημικός-κάτοχος για το διηλεκτρικό κατατίθεται conformally μέσα στην τάφρο και στο ηλεκτρικά αγώγιμο στρώμα για το δεύτερο ηλεκτρόδιο πυκνωτών. Ένα ηλεκτρικά αγώγιμο στρώμα για το πρώτο ηλεκτρόδιο πυκνωτών κατατίθεται conformally μέσα στην τάφρο και στο βοηθητικό στρώμα. Το βοηθητικό στρώμα τουλάχιστον μερικώς αφαιρείται για να εκθέσει ένα κοίλο στρώμα τουλάχιστον σε μια μερική περιοχή μεταξύ των δύο ηλεκτρικά αγώγιμων στρωμάτων για τα πρώτα και δεύτερα ηλεκτρόδια πυκνωτών. Ο διηλεκτρικός κατατίθεται στο εκτεθειμένο κοίλο στρώμα μεταξύ των δύο ηλεκτρικά αγώγιμων στρωμάτων. Μια συσκευή μνήμης ημιαγωγών και μια μέθοδος για τη συσκευή περιλαμβάνουν την παραγωγή του πυκνωτή μετά από την παραγωγή της κρυσταλλολυχνίας και την επιμετάλλωση των στρωμάτων που συνδέονται συνεπώς για τη σύνδεση των γραμμών λέξης και κομματιών, σε μια διαμόρφωση προβάλλοντας πρός τα πάνω από το αεροπλάνο τοποθετώντας τον πυκνωτή σε μια τάφρο που διαμορφώνεται μέσα σε μια επαφή που επιμεταλλώνει το στρώμα για το δεύτερο τερματικό ηλεκτροδίων της κρυσταλλολυχνίας και θέτοντας ένα βάθος της τάφρου για να είναι ισοδύναμος με ένα πάχος στρώματος του στρώματος επιμετάλλωσης.