An improved flash memory device having core stacks and periphery stacks which are protected by first and second thin side walls, side spacers over the side walls, and an HTO layer over the stacks, and side spacer. The flash memory device has an intermetallic dielectric layer placed over the HTO layer. A tungsten plug is placed in the intermetallic dielectric layer to provide an electrical connection to the drain of the flash memory device. The additional first and second side walls reduce current leakage between core stacks and the tungsten plug and help to protect the stacks during fabrication.

Een beter apparaat dat van het flitsgeheugen kernstapels en periferiestapels heeft die door eerst en tweede dunne zijmuren, zijverbindingsstukken over de zijmuren, en een laag HTO over de stapels, en zijverbindingsstuk worden beschermd. Het apparaat van het flitsgeheugen heeft een intermetallic diëlektrische laag die meer dan de laag HTO wordt geplaatst. Een wolframstop wordt geplaatst in de intermetallic diëlektrische laag om een elektroverbinding aan het afvoerkanaal van het apparaat van het flitsgeheugen te verstrekken. De extra eerste en tweede kantmuren verminderen huidige lekkage tussen kernstapels en de wolframstop en helpen om de stapels tijdens vervaardiging te beschermen.