An epitaxial barrier material provides not only a unique growth medium for growing single crystal structures of elemental metal thereon, but also provides an effective diffusion barrier at extremely thin thicknesses against migration of atoms from the metallization layer into an adjacent semiconductor substrate or low dielectric insulation layer. This invention is particularly advantageous for forming single crystal, transition metal conductor lines, contacts, filled trenches, and/or via plugs, and especially conductor structures based on transition metals of copper, silver, gold, or platinum. These metals are highly attractive for interconnect strategies on account of there respective low resistivity and high reliability characteristics. Processes for making the barrier film in a semiconductor device are also covered. The capability to use copper interconnect strategies coupled with the proviso of an extremely thin barrier film makes possible a significant increase in the component density and a corresponding reduction in the number of layers in large scale integrated circuits, as well as improved performance.

Эпитаксиальный материал барьера обеспечивает not only уникально средство роста для расти одиночные кристаллические структуры elemental металла thereon, но также обеспечивает эффективный барьер диффузии на весьма тонких толщинах против переселения атомов от слоя металлизирования в смежный субстрат полупроводника или низкий диэлектрический слой изоляции. Этот вымысел определенно выгоден для формировать одиночный кристалл, проводник металла перехода выравнивается, контакты, заполненные шанцы, and/or через штепсельные вилки, и специально структуры проводника основанные на металлах перехода меди, серебра, золота, или платины. Эти металлы высоки привлекательны для стратегий interconnect on account of там соответственно низкая резистивность и высокие характеристики надежности. Процессы для делать пленку барьера в прибора на полупроводниках также покрыны. Возможность для использования медных стратегий interconnect соединенных с proviso моделей весьма тонких пленки барьера по возможности значительно увеличение в компонентной плотности и соответствуя уменьшение в числе слоев в цепях большойа диапазон интегрированных, также,как улучшенное представление.