A ESD (electrostatic discharge) robust SiGe bipolar transistor is provided which comprises a substrate of a first conductivity type; a doped subcollector region of a second conductivity type formed on the substrate, the doped subcollector region including an epitaxial collector region which is defined between isolation trench regions; a first film comprising silicon and germanium formed on the doped subcollector region, the first film including a single crystal SiGe intrinsic base region and an extrinsic SiGe polysilicon base regions of the first conductivity type abutting the intrinsic base region; a second film comprising an emitter of the second conductivity type contained over the intrinsic base region formed by an emitter window mask and a second region formed outside of the emitter; a first doped region of the first conductivity type formed at a facet point between the intrinsic base region and one of the extrinsic base regions; a second doped region of said first conductivity type contained at the outermost extrinsic base regions; and a resistor formed in SiGe polysilicon base regions between said first and second doped regions.

Se proporciona un transistor bipolar robusto de ESD (descarga electrostática) SiGe que abarca un substrato de un primer tipo de la conductividad; una región dopada del subcollector de un segundo tipo de la conductividad formó en el substrato, la región dopada del subcollector incluyendo una región de colector epitaxial que se define entre las regiones del foso del aislamiento; una primera película que abarcaba el silicio y el germanio formó en la región dopada del subcollector, la primera película incluyendo una región baja intrínseca de SiGe del solo cristal y regiones extrínsecas de SiGe de una base del polysilicon del primer tipo de la conductividad que lindaba la región baja intrínseca; una segunda película que abarcaba un emisor del segundo tipo de la conductividad contenido sobre la región baja intrínseca formó por una máscara de la ventana del emisor y una segunda región formó fuera del emisor; un primer dopó la región del primer tipo de la conductividad formado en un punto de la faceta entre la región y baja la intrínseca de las regiones bajas extrínsecas; un segundo dopó la región del primer tipo dicho de la conductividad contenido en las regiones bajas extrínsecas exteriores; y un resistor formó en regiones de la base del polysilicon de SiGe entre primeras dicho y dopó en segundo lugar regiones.