The object of the invention is to solve failure in embedding conductive material by electroplating caused because organic insulating material is deformed by the compressive stress of a barrier metal layer such as tantalum nitride used for grooved interconnection, a groove-used for grooved interconnection is deformed and a seed layer is not fully formed in the groove and to enhance reliability upon interconnection. To achieve the object, a semiconductor device according to the invention is based upon a semiconductor device having a groove formed through a second insulating film over a substrate, a barrier metal layer formed at least on the inner wall of the groove and grooved interconnection embedded inside the groove via the barrier metal layer and is characterized in that a concave portion is continuously or intermittently formed along a groove through a second insulating film within a predetermined interval from grooved interconnection.

Το αντικείμενο της εφεύρεσης είναι να λυθεί η αποτυχία στην ενσωμάτωση του αγώγιμου υλικού με την ηλεκτρολυτική επιμετάλλωση προκαλούμενη επειδή το οργανικό μονώνοντας υλικό παραμορφώνεται από τη συμπιεστική πίεση ενός στρώματος μετάλλων εμποδίων όπως το νιτρίδιο τανταλίου που χρησιμοποιείται για την αυλακωμένη διασύνδεση, αυλάκι-χρησιμοποιημένη για την αυλακωμένη διασύνδεση είναι παραμορφωμένη και ένα στρώμα σπόρου δεν διαμορφώνεται πλήρως στο αυλάκι και για να ενισχύσει την αξιοπιστία επάνω στη διασύνδεση. Για να επιτύχει το αντικείμενο, μια συσκευή ημιαγωγών σύμφωνα με την εφεύρεση είναι βασισμένη σε μια συσκευή ημιαγωγών που έχει ένα αυλάκι διαμορφωμένο μέσω μιας δεύτερης μονώνοντας ταινίας πέρα από ένα υπόστρωμα, ένα στρώμα μετάλλων εμποδίων που διαμορφώνονται τουλάχιστον στον εσωτερικό τοίχο του αυλακιού και την αυλακωμένη διασύνδεση που ενσωματώνεται μέσα στο αυλάκι μέσω του στρώματος μετάλλων εμποδίων και χαρακτηρίζεται δεδομένου ότι μια κοίλη μερίδα συνεχώς ή περιοδικά διαμορφώνεται κατά μήκος ενός αυλακιού μέσω μιας δεύτερης μονώνοντας ταινίας μέσα σε ένα προκαθορισμένο διάστημα από την αυλακωμένη διασύνδεση.