An MRAM memory array has nonlinear word lines and linear bit lines. The word lines cross the bit lines at memory cell locations, and are substantially coextensive with the bit lines at the crossing points. When a current is passed through the word and bit lines, the magnetic fields generated by the word line and the bit line at a coextensive portion are substantially aligned. The magnitude of the resultant field is therefore greater than in conventional, orthogonally oriented fields. Because the addition of the fields generated by the word and bit lines is enhanced, smaller word and bit line currents can be utilized, which reduces the size required for the memory array. The memory array can also utilize memory cells having a magnetic layer for producing a transverse magnetic field. The transverse field is orthogonally oriented to the magnetic field generated by the word and bit lines, and increases the reproducibility of switching of the memory cell. The transverse field also reduces the current required to switch the memory cell.

Μια σειρά μνήμης MRAM έχει τις μη γραμμικές γραμμές λέξης και τις γραμμικές γραμμές κομματιών. Οι γραμμές λέξης διασχίζουν τις γραμμές κομματιών στις θέσεις κυττάρων μνήμης, και είναι ουσιαστικά συμπεριεκτικές με τις γραμμές κομματιών στα διασχίζοντας σημεία. Όταν ένα ρεύμα περνούν μέσω της λέξης και δάγκωσε τις γραμμές, τα μαγνητικά πεδία που παράγονται από τη γραμμή λέξης και τη γραμμή κομματιών σε μια συμπεριεκτική μερίδα ευθυγραμμίζονται ουσιαστικά. Το μέγεθος του επακόλουθου τομέα είναι επομένως μεγαλύτερο απ'ό,τι στους συμβατικούς, ορθογώνια προσανατολισμένους τομείς. Επειδή η προσθήκη των τομέων που παράγονται από τις γραμμές λέξης και κομματιών ενισχύεται, τα μικρότερα ρεύματα γραμμών λέξης και κομματιών μπορούν να χρησιμοποιηθούν, η οποία μειώνουν το μέγεθος που απαιτείται για τη σειρά μνήμης. Η σειρά μνήμης μπορεί επίσης να χρησιμοποιήσει τα κύτταρα μνήμης που έχουν ένα μαγνητικό στρώμα για την παραγωγή ενός εγκάρσιου μαγνητικού πεδίου. Ο εγκάρσιος τομέας είναι ορθογώνια προσανατολισμένος στο μαγνητικό πεδίο που παράγεται από τη λέξη και δάγκωσε τις γραμμές, και αυξάνει τη δυνατότητα αναπαραγωγής της μετατροπής του κυττάρου μνήμης. Ο εγκάρσιος τομέας μειώνει επίσης το ρεύμα που απαιτείται για να μεταστρέψει το κύτταρο μνήμης.

 
Web www.patentalert.com

< (none)

< Ferroelectric film property measuring device, measuring method therefor and measuring method for semiconductor memory units

> Methods and arrangements relating to a radio communication system

> (none)

~ 00048