The present invention provides a resin-encapsulated semiconductor apparatus
comprising a semiconductor device having a ferroelectric film and a
surface-protective film, and an encapsulant member comprising a resin; the
surface-protective film being formed of a polyimide. The present invention
also provides a process for fabricating a resin-encapsulated semiconductor
apparatus, comprising the steps of forming a film of a polyimide precursor
composition on the surface of a semiconductor device having a
ferroelectric film; heat-curing the polyimide precursor composition film
to form a surface-protective film formed of a polyimide; and
encapsulating, with an encapsulant resin, the semiconductor device on
which the surface-protective film has been formed. The polyimide may
preferably have a glass transition temperature of from 240.degree. C. to
400.degree. C. and a Young's modulus of from 2,600 MPa to 6 GPa. The
curing may preferably be carried out at a temperature of from 230.degree.
C. to 300.degree. C.
La présente invention fournit un appareillage résine-encapsulé de semi-conducteur comportant un dispositif de semi-conducteur ayant un film ferroelectric et un film protecteur de surface, et un membre encapsulant comportant une résine ; le film protecteur de surface étant constitué d'un polyimide. La présente invention fournit également un processus pour fabriquer un appareillage résine-encapsulé de semi-conducteur, comportant les étapes de former un film de composition de précurseur de polyimide sur la surface d'un dispositif de semi-conducteur ayant un film ferroelectric ; thermodurcissable le film de composition en précurseur de polyimide pour former un film protecteur de surface a formé d'un polyimide ; et s'encapsulant, avec de la résine encapsulant, le dispositif de semi-conducteur sur lequel le film protecteur de surface a été formé. Le polyimide peut de préférence avoir une température de transition de verre de de 240.degree. C. à 400.degree. C. et un module de Young de de 2.600 MPa à 6 GPa. Traiter peut de préférence être effectué à une température de de 230.degree. C. à 300.degree. C.
