A method of substantially reducing charge build-up in a SOI device is provided. The method includes depositing a dielectric material on a surface of a semiconductor structure which includes at least silicon-on-insulator (SOI) devices therein. Next, a first conductive material is deposited on the dielectric material and then holes are drilled through the conductive material and the dielectric insulating material. Each hole is filled with a second conductive material, and thereafter selective portions of the first conductive material are removed to form contact pads for further probing. The method is especially useful in focused ion beam (FIB) drilling.

Eine Methode von Aufladung Anhäufung in einer SOI Vorrichtung im wesentlichen verringern wird zur Verfügung gestellt. Die Methode schließt das Niederlegen eines dielektrischen Materials auf einer Oberfläche einer Halbleiterstruktur ein, die mindestens Silikon-auf-Isolierung (SOI) Vorrichtungen darin einschließt. Zunächst wird ein erstes leitendes Material auf dem dielektrischen Material niedergelegt und dann werden Bohrungen durch das leitende Material und das isolierende Material des Nichtleiters gebohrt. Jede Bohrung wird mit einem zweiten leitenden Material gefüllt, und danach werden vorgewählte Teile des ersten leitenden Materials zu den Formkontaktauflagen für das weitere Prüfen entfernt. Die Methode ist in der fokussierten Bohrung des Ionenlichtstrahls (FLUNKEREI) besonders nützlich.