A piezoelectric ceramic material comprising a bismuth layer compound containing M.sup.II, Bi, Ti and O wherein M.sup.II is selected from Sr, Ba and Ca, and containing M.sup.II Bi.sub.4 Ti.sub.4 O.sub.15 type crystals, wherein M.sup.II, is represented by Sr.sub.x Ba.sub.y Ca.sub.z wherein x+y+z=1, utilizes thickness shear vibration when 0.ltoreq.x.ltoreq. 1, 0.ltoreq.y.ltoreq.0.9, and 0.ltoreq.z.ltoreq.1, and thickness extensional vibration when 0.ltoreq.x<0.9, 0.ltoreq.y.ltoreq.0.9, and 0.ltoreq.z<1. Also provided is a piezoelectric ceramic material comprising a bismuth layer compound containing Ca, Bi, Ti, Ln and 0 wherein Ln is a lanthanoid, and containing CaBi.sub.4 Ti.sub.4 O.sub.15 type crystals, wherein the atomic ratio Ln/(Ln+Ca) is in the range: 0 Un materiale di ceramica piezoelettrico che contiene uno strato M.sup.II contenente compound del bismuto, la Bi, il Ti e la O in cui M.sup.II è scelto da Sr, da Ba e dal CA e contenente il tipo cristalli di M.sup.II Bi.sub.4 Ti.sub.4 O.sub.15, in cui M.sup.II, è rappresentato da Sr.sub.x Ba.sub.y Ca.sub.z in cui x+y+z=1, utilizza la vibrazione delle cesoie di spessore quando 0.ltoreq.x.ltoreq. 1, 0.ltoreq.y.ltoreq.0.9 e 0.ltoreq.z.ltoreq.1 e vibrazione di extensional di spessore quando 0.ltoreq.x