A p-i-n structure for use in photo laser diodes is disclosed, being formed of an Ga.sub.x In.sub.1-x N/GaN alloy (X=0.fwdarw.1). In the method of the subject invention, buffer layers of GaN are grown on a substrate and then doped. The active, confinement and confinement layers of p-type material are next grown and doped, if desired. The structure is masked and etched as required to expose a surface which is annealed. A p-type surface contact is formed on this annealed surface so as to be of sufficiently low resistance as to provide good quality performance for use in a device.

Um pino estrutura para o uso em diodos do laser da foto é divulgado, sendo dado forma de uma liga de Ga.sub.x In.sub.1-x N/GaN (X=0.fwdarw.1). No método da invenção sujeita, as camadas do amortecedor de GaN são crescidas em uma carcaça e doped então. O ativos, o confinamento e as camadas do confinamento de p-tipo material são crescido seguinte e doped, se desejados. A estrutura é mascarada e gravada como necessário para expo uma superfície que seja recozida. Um p-tipo contato da superfície é dado forma nesta superfície recozida para ser da resistência suficientemente baixa a respeito de forneça o desempenho da qualidade boa para o uso em um dispositivo.