An apparatus and process for atomic layer deposition that minimizes mixing of the chemicals and reactive gases is disclosed. The first precursor and second precursor are only mixed with other chemicals and reactive gases when and where desired by installing and monitoring a dispensing fore-line. Also, independent and dedicated chamber outlets, isolation valves, exhaust fore-lines, and exhaust pumps are provided that are activated for the specific gas when needed.

Μια συσκευή και μια διαδικασία για την ατομική απόθεση στρώματος που ελαχιστοποιεί τη μίξη των χημικών ουσιών και των αντιδραστικών αερίων αποκαλύπτονται. Ο πρώτος πρόδρομος και ο δεύτερος πρόδρομος αναμιγνύονται μόνο με άλλα χημικές ουσίες και αντιδραστικά αέρια όταν και όπου επιδιώκεται με την εγκατάσταση και τον έλεγχο μιας μέρος-γραμμής διανομής. Επίσης, οι ανεξάρτητες και αφιερωμένες έξοδοι αιθουσών, οι βαλβίδες απομόνωσης, οι μέρος-γραμμές εξάτμισης, και οι αντλίες εξάτμισης παρέχονται που ενεργοποιούνται για το συγκεκριμένο απαιτείται αέριο όταν.

 
Web www.patentalert.com

< (none)

< Intelligent exploration through multiple hierarchies using entity relevance

> NAND type nonvolatile ferroelectric memory cell

> (none)

~ 00047