A vertical geometry light emitting diode is disclosed that is capable of emitting light in the red, green, blue, violet and ultraviolet portions of the electromagnetic spectrum. The light emitting diode includes a conductive silicon carbide substrate, an InGaN quantum well, a conductive buffer layer between the substrate and the quantum well, a respective undoped gallium nitride layer on each surface of the quantum well, and ohmic contacts in a vertical geometry orientation.

Μια κάθετη ελαφριά εκπέμποντας δίοδος γεωμετρίας αποκαλύπτεται που είναι σε θέση το φως κόκκινες, πράσινες, μπλε, ιώδεις και υπεριώδεις μερίδα του ηλεκτρομαγνητικού φάσματος. Η ελαφριά εκπέμποντας δίοδος περιλαμβάνει ένα αγώγιμο υπόστρωμα καρβιδίου του πυριτίου, ένα κβάντο InGaN καλά, ένα αγώγιμο στρώμα απομονωτών μεταξύ του υποστρώματος και του κβάντου καλά, ένα αντίστοιχο undoped στρώμα νιτριδίων γαλλίου σε κάθε επιφάνεια του κβάντου καλά, και τις ωμικές επαφές σε έναν κάθετο προσανατολισμό γεωμετρίας.