A method and an apparatus of plasma treating a wafer with low capacitive coupling, high induction power density and high uniformity of reactive species were disclosed in this invention. A first embodiment manages a multiturn helical coil to match with an impedance at an RF drive frequency for reducing capacitive coupling. A second embodiment uses a can-like dielectric to prompt plasma species approaching the wafer surface at a low pressure, thus providing higher plasma density and higher etch rate. A third embodiment uses a cap-like dielectric to raise the ceiling above the wafer for improving the plasma generation uniformity in the chamber.

Μια μέθοδος και μια συσκευή του πλάσματος που μεταχειρίζεται μια γκοφρέτα με τη χαμηλή χωρητική σύζευξη, την υψηλή πυκνότητα ισχύος επαγωγής και την υψηλή ομοιομορφία των αντιδραστικών ειδών αποκαλύφθηκαν σε αυτήν την εφεύρεση. Μια πρώτη ενσωμάτωση κατορθώνει μια πολύστροφη ελικοειδή σπείρα για να ταιριάξει με μια σύνθετη αντίσταση σε μια συχνότητα κίνησης RF για τη μείωση της χωρητικής σύζευξης. Μια δεύτερη ενσωμάτωση χρησιμοποιεί μπορώ-όπως έναν διηλεκτρικό για να προτρέψει τα είδη πλάσματος πλησιάζοντας την επιφάνεια γκοφρετών σε μια χαμηλή πίεση, παρέχοντας κατά συνέπεια την υψηλότερη πυκνότητα πλάσματος και υψηλότερος χαράξτε το ποσοστό. Μια τρίτη ενσωμάτωση χρησιμοποιεί ΚΑΠ-ΌΠΩΣ έναν διηλεκτρικό για να αυξήσει το ανώτατο όριο επάνω από την γκοφρέτα για τη βελτίωση της ομοιομορφίας παραγωγής πλάσματος στην αίθουσα.