A process for forming a metal-insulator-metal (MIM) capacitor structure includes forming a recess in the dielectric layer (20) of a semiconductor substrate (10). A first capacitor electrode (30, 40) is formed in the recess having a copper first metal layer (30) with a conductive oxidation barrier (40) formed over the first metal layer (30). The first capacitor electrode (30, 40) is planarized relative to the dielectric layer (20). An insulator (50) is formed over the first capacitor electrode (30, 40) and a second capacitor electrode (65) is formed over the insulator (50). Forming the first capacitor electrode (30, 40) in the recess maintains the alignment of a periphery of the copper first metal layer (30) with the conductive oxidation barrier (40).

Un processus pour former une structure de condensateur de métal-isolateur-métal (MIM) inclut former une cavité dans la couche diélectrique (20) d'un substrat de semi-conducteur (10). Une première électrode de condensateur (30, 40) est formée dans la cavité ayant une première couche de cuivre en métal (30) avec une barrière conductrice d'oxydation (40) excédent formé la première couche en métal (30). La première électrode de condensateur (30, 40) est planarized relativement à la couche diélectrique (20). Un isolateur (50) est excédent formé la première électrode de condensateur (30, 40) et une deuxième électrode de condensateur (65) est formée au-dessus du isolateur (50). Formant la première électrode de condensateur (30, 40) dans la cavité maintient l'alignement d'une périphérie de la première couche de cuivre en métal (30) avec la barrière conductrice d'oxydation (40).