An underlying gallium nitride layer on a silicon carbide substrate is masked with a mask that includes an array of openings therein, and the underlying gallium nitride layer is etched through the array of openings to define posts in the underlying gallium nitride layer and trenches therebetween. The posts each include a sidewall and a top having the mask thereon. The sidewalls of the posts are laterally grown into the trenches to thereby form a gallium nitride semiconductor layer. During this lateral growth, the mask prevents nucleation and vertical growth from the tops of the posts. Accordingly, growth proceeds laterally into the trenches, suspended from the sidewalls of the posts. The sidewalls of the posts may be laterally grown into the trenches until the laterally grown sidewalls coalesce in the trenches to thereby form a gallium nitride semiconductor layer. The lateral growth from the sidewalls of the posts may be continued so that the gallium nitride layer grows vertically through the openings in the mask and laterally overgrows onto the mask on the tops of the posts, to thereby form a gallium nitride semiconductor layer. The lateral overgrowth can be continued until the grown sidewalls coalesce on the mask to thereby form a continuous gallium nitride semiconductor layer. Microelectronic devices may be formed in the continuous gallium nitride semiconductor layer.

Una capa subyacente del nitruro del galio en un substrato del carburo del silicio se enmascara con una máscara que incluya un arsenal de aberturas en esto, y la capa subyacente del nitruro del galio se graba al agua fuerte con el arsenal de aberturas para definir los postes en la capa subyacente del nitruro del galio y los fosos therebetween. Los postes cada uno incluyen un flanco y una tapa que tienen la máscara sobre eso. Los flancos de los postes se crecen lateralmente en los fosos de tal modo para formar una capa del semiconductor del nitruro del galio. Durante este crecimiento lateral, la máscara previene el nucleation y el crecimiento vertical de las tapas de los postes. Por consiguiente, el crecimiento procede lateralmente en los fosos, suspendidos de los flancos de los postes. Los flancos de los postes se pueden crecer lateralmente en los fosos hasta que los flancos lateralmente crecidos se unen en los fosos de tal modo para formar una capa del semiconductor del nitruro del galio. El crecimiento lateral de los flancos de los postes se puede continuar de modo que la capa del nitruro del galio crezca verticalmente con las aberturas en la máscara y crezca demasiado lateralmente sobre la máscara en las tapas de los postes, de tal modo para formar una capa del semiconductor del nitruro del galio. El crecimiento excesivo lateral puede ser continuado hasta que los flancos crecidos se unen en la máscara de tal modo para formar una capa continua del semiconductor del nitruro del galio. Los dispositivos microelectrónicos se pueden formar en la capa continua del semiconductor del nitruro del galio.