An integrated circuit device is provided that has a split-gate type memory transistor, a first capacitor element and a second capacitor element formed on a common chip. The dielectric strength of each of the split-gate type memory transistor, the first capacitor element and the second capacitor element can be improved. An intermediate insulation film of the split-gate type memory transistor can include a thermal oxide film, an HTO film, a side-section insulation film, and another thermal oxide film. A dielectric film of the first capacitor element can include a thermal oxide film, an HTO film, and another thermal oxide film, while a dielectric film of the second capacitor element can include a thermal oxide film, an HTO film, a silicon nitride film, and another thermal oxide film.

Um dispositivo do circuito integrado é contanto que tem um tipo transistor da memória, um primeiro elemento do capacitor e um segundo elemento da rach-porta do capacitor dado forma em uma microplaqueta comum. A força dieléctrica de cada um do tipo transistor da memória, o primeiro elemento do capacitor e o segundo elemento da rach-porta do capacitor pode ser melhorada. Uma película intermediária da isolação do tipo transistor da rach-porta da memória pode incluir uma película térmica do óxido, uma película de HTO, uma película da isolação da lado-seção, e uma outra película térmica do óxido. Uma película dieléctrica do primeiro elemento do capacitor pode incluir uma película térmica do óxido, uma película de HTO, e uma outra película térmica do óxido, quando uma película dieléctrica do segundo elemento do capacitor puder incluir uma película térmica do óxido, uma película de HTO, uma película do nitride de silicone, e uma outra película térmica do óxido.