Methods used in semiconductor electroplating systems, such as for plating copper, onto a semiconductor wafer or other semiconductor workpiece. The methods apply to patterned metal layers plated onto seed layer which is partially protected by an overlying photoresist or other coating. The methods employ an electrode assembly which has a boot which seals about a contact face of the electrode. The sealing is performed by engaging the seal against photoresist to prevent corrosion of the seal layer. The area enclosed by the sealing includes a via which is surrounded by the seal. The electrode contact extends through the via to provide electrical contact with the metallic seed layer. Plating of copper or other metal proceeds at exposed seed layer areas.

Methoden verwendet in galvanisierenden Systemen des Halbleiters, wie für Überzugkupfer, auf ein Halbleiterplättchen oder anderes Halbleiterwerkstück. Die Methoden treffen auf die patterned Metallschichten zu, die auf Samenschicht überzogen werden, die teilweise durch einen darüberliegenden Photoresist oder andere Schicht geschützt wird. Die Methoden setzen eine Elektrode ein, die eine Aufladung hat, die über ein Kontaktgesicht der Elektrode versiegelt. Die Dichtung wird durchgeführt, indem man die Robbe gegen Photoresist sich engagiert, Korrosion der Dichtung Schicht zu verhindern. Der Bereich, der durch die Dichtung umgeben wird, schließt a mit ein, über das durch die Dichtung umgeben wird. Der Elektrode Kontakt verlängert durch über, um elektrischen Kontakt mit der metallischen Samenschicht zu versehen. Überzug des Kupfers oder anderen Metalls fährt an herausgestellten Samenschichtbereichen fort.