MRAM memory having a memory cell array (2) comprising magnetoresistive memory components (6a, 6b) arranged in at least one memory cell layer above a semiconductor substrate (4), word lines (7) and bit lines (8, 9) for making contact with the magnetoresistive memory components (6a, 6b) in the memory cell array (2); and having a drive logic arrangement (5a, 5b, 5c) for driving the magnetoresistive memory components (6a, 6b) in the memory cell array (2) via the word and bit lines (7, 8, 9), the drive logic arrangement (5a, 5b, 5c) being integrated below the memory cell array (2) in and on the semiconductor substrate (4).

Память MRAM имея блок ячейкы памяти (2) состоять из магниторезистивных аранжированных компонентов памяти (6Јa, 6b) в по крайней мере одном слое ячейкы памяти выше субстрат полупроводника (4), линии слова (7) и линии бита (8, 9) для касаться с магниторезистивными компонентами памяти (6Јa, 6b) в блоке ячейкы памяти (2); и имеющ расположение логики привода (5Јa, 5b, 5c) для управлять магниторезистивными компонентами памяти (6Јa, 6b) в блоке ячейкы памяти (2) через линии слова и бита (7, 8, 9), расположение логики привода (5Јa, 5b, 5c) будучи интегрированным под блоком ячейкы памяти (2) в и на субстрате полупроводника (4).