After successively depositing a first metal film and a first silicon oxide film on an insulating film formed on a semiconductor substrate, etching is carried out by using a first resist pattern as a mask, so as to form a first interlayer insulating film having openings from the first silicon oxide film and first metal interconnects from the first metal film. A third interlayer insulating film of an organic film is filled in the openings of the first interlayer insulating film, and the first interlayer insulating film is etched by using a hard mask. A second metal film is then filled in a space in the second interlayer insulating film, so as to form second metal interconnects.

Depois que sucessivamente depositar uma primeira película do metal e uma primeira película do óxido do silicone em uma película isolando deu forma em uma carcaça do semicondutor, gravando é realizado usando uma primeira resistem o teste padrão como uma máscara, para dar forma a uma película isolando do primeiro interlayer que tem aberturas da primeira do silicone do primeiro metal do óxido película e interconecta da primeira película do metal. Uma película isolando do terceiro interlayer de uma película orgânica é preenchida as aberturas da película isolando do primeiro interlayer, e a película isolando do primeiro interlayer é gravada usando uma máscara dura. Uma segunda película do metal é preenchida então um espaço na película isolando do segundo interlayer, para dar forma ao segundo metal interconecta.