The present invention relates to a method of manufacturing a flash memory device. According to the present invention, a dielectric film is formed and an amorphous silicon layer is then formed to mitigate a topology generated by patterning of a first polysilicon layer in a cell region. The amorphous silicon layer serves as a protection layer of the dielectric film in the cell region when a gate oxide film in a peripheral circuit region is formed. Therefore, the present invention can not only improve the resistance of a word line in the cell region but also improve the film quality of the dielectric film and the gate oxide film in the peripheral circuit region.

De onderhavige uitvinding heeft op een methode om een apparaat van het flitsgeheugen te vervaardigen betrekking. Volgens de onderhavige uitvinding, wordt een diëlektrische film gevormd en een amorfe siliciumlaag wordt dan gevormd om een topologie te verlichten die door van een eerste polysilicon laag in een celgebied te vormen wordt geproduceerd. De amorfe siliciumlaag dient als beschermingslaag van de diëlektrische film in het celgebied wanneer een film van het poortoxyde in een randkringsgebied wordt gevormd. Daarom kan de onderhavige uitvinding niet alleen de weerstand van een woordlijn in het celgebied verbeteren maar ook de filmkwaliteit van de diëlektrische film en de film van het poortoxyde in het randkringsgebied verbeteren.