A data storage device that includes a novel resistive cross point memory cell array and a method of making the data storage device are described. The resistive cross point memory cell array enables high-density fabrication and high-speed operation with isolation diodes that have practical dimensions and current density characteristics. In addition, the data storage device includes a novel equipotential isolation circuit that substantially avoids parasitic currents that otherwise might interfere with the sensing of the resistance state of the memory cells. In one aspect, the memory cells of the resistive cross point memory cell array are arranged into multiple groups of two or more memory cells. The memory cells of each group are connected between a respective word line and a common isolation diode that is coupled to a bit line.

Un dispositivo di memorizzazione di dati che include un allineamento resistente delle cellule di memoria del punto trasversale del romanzo e un metodo di fabbricazione del dispositivo di memorizzazione di dati è descritto. L'allineamento resistente delle cellule di memoria del punto trasversale permette il montaggio ad alta densità ed il funzionamento ad alta velocità con i diodi di isolamento che hanno le dimensioni pratiche e caratteristiche di densità di corrente. In più, il dispositivo di memorizzazione di dati include un circuito equipotential di isolamento del romanzo che evita sostanzialmente le correnti parassita che potrebbero interferire al contrario con il rilevamento della resistenza dichiarano delle cellule di memoria. In una funzione, le cellule di memoria dell'allineamento resistente delle cellule di memoria del punto trasversale sono organizzate nei gruppi multipli di due o più cellule di memoria. Le cellule di memoria di ogni gruppo sono collegate fra una linea rispettiva di parola e un diodo comune di isolamento che è accoppiato ad una linea della punta.

 
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