In the manufacture of an integrated circuit memory capacitor, an underlying hydrogen barrier layer, either electrically nonconductive or conductive, is formed on a substrate. Then, the lower electrode layer and the ferroelectric/dielectric layer are formed and selectively etched. A nonconductive hydrogen barrier layer is formed on the dielectric layer and selectively etched. After a heat treatment in oxygen, the upper electrode layer and a conductive hydrogen barrier layer are successively deposited and selectively etched. The nonconductive hydrogen barrier layer covers the capacitor except for a part of the upper electrode, and the conductive hydrogen barrier layer covers a portion where there is no nonconductive hydrogen barrier layer. Thus, the underlying barrier layer, the nonconductive barrier layer and the conductive barrier layer together completely cover the memory capacitor. The dielectric layer comprises a ferroelectric or high-dielectric constant metal oxide. The nonconductive hydrogen barrier layer is typically SiN. The conductive hydrogen barrier layer is typically a metal nitride, such as TiN or AIN.

In der Herstellung eines Schaltunggedächtniskondensators, wird eine zugrundeliegende Wasserstoffgrenzschicht, entweder elektrisch nicht leitfähig oder leitend, auf einem Substrat gebildet. Dann werden die niedrigere Elektrode Schicht und die ferroelectric/dielectric Schicht gebildet und geätzt selektiv. Eine nicht leitfähige Wasserstoffgrenzschicht wird auf der dielektrischen Schicht gebildet und geätzt selektiv. Nach einer Wärmebehandlung im Sauerstoff, werden die obere Elektrode Schicht und eine leitende Wasserstoffgrenzschicht mehrmals hintereinander niedergelegt und geätzt selektiv. Die nicht leitfähige Wasserstoffgrenzschicht bedeckt den Kondensator außer einem Teil der oberen Elektrode, und die leitende Wasserstoffgrenzschicht umfaßt einen Teil, in dem es keine nicht leitfähige Wasserstoffgrenzschicht gibt. So bedecken die zugrundeliegende Grenzschicht, die nicht leitfähige Grenzschicht und die leitende Grenzschicht zusammen vollständig den Gedächtniskondensator. Die dielektrische Schicht enthält ein ferroelectric oder Hochnichtleiter konstantes Metalloxid. Die nicht leitfähige Wasserstoffgrenzschicht ist gewöhnlich Sünde. Die leitende Wasserstoffgrenzschicht ist gewöhnlich ein Metallnitrid, wie Zinn oder AIN.