A high GMR coefficient for a spin valve sensor is achieved through the addition of one or more nano oxide layers in the second anti-parallel (AP) pinned layer of the pinned section of a spin valve sensor. The improvement occurs through increases in the GMR coefficient and magnetic stability of the spin valve sensor. The new second anti-parallel AP-pinned layer is formed with a plurality of layers of a magnetized metal separated by nano oxide layers. The metal layer(s) preferably comprise CoFe and the nano oxide layers preferably comprise of CoFeO. A PtMn antiferromagnetic layer and a CoFe first AP-pinned layer may also be used.

Ein hoher GMR Koeffizient für einen Drehbeschleunigungventil-Sensor wird durch die Hinzufügung von einer oder mehr nano Oxidschichten in der zweiten Anti-parallelen (AP) festgesteckten Schicht des festgesteckten Abschnitts eines Drehbeschleunigungventil-Sensors erzielt. Die Verbesserung tritt durch Zunahmen des GMR Koeffizienten und der magnetischen Stabilität des Drehbeschleunigungventil-Sensors auf. Die neue zweite Anti-parallele AP-FESTGESTECKTE Schicht wird mit einer Mehrzahl von Schichten eines magnetisierten Metalls gebildet, das durch nano Oxidschichten getrennt wird. Das Metalllayer(s) enthalten vorzugsweise CoFe und die nano Oxidschichten enthalten vorzugsweise von CoFeO. Eine PtMn antiferromagnetic Schicht und eine CoFe zuerst AP-FESTGESTECKTE Schicht können auch verwendet werden.

 
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