In order to dampen magnetization changes in magnetic devices, such as tunnel junctions (MTJ) used in high speed Magnetic Random Access Memory (MRAM), a transition metal selected from the 4d transition metals and 5d transition metals is alloyed into the magnetic layer to be dampened. In a preferred form, a magnetic permalloy layer is alloyed with osmium (Os) in an atomic concentration of between 4% and 15% of the alloy.

Προκειμένου να υγραθούν οι αλλαγές μαγνήτισης στις μαγνητικές συσκευές, όπως οι συνδέσεις σηράγγων (MTJ) που χρησιμοποιούνται στην υψηλή μνήμη πρόσβασης ταχύτητας μαγνητική τυχαία (MRAM), ένα μέταλλο μετάβασης που επιλέγεται από τα 4d μέταλλα μετάβασης και 5d τη μετάβαση τα μέταλλα αναμιγνύονται στο μαγνητικό στρώμα που υγραίνεται. Σε μια προτιμημένη μορφή, ένα μαγνητικό permalloy στρώμα αναμιγνύεται με osmium (Os) σε μια ατομική συγκέντρωση μεταξύ 4% και 15% του κράματος.