One embodiment of the invention is directed to a method of forming a metallization level of an integrated circuit including the steps of forming metal areas of a metallization level laterally separated by a first insulating layer, removing the first insulating layer, non-conformally depositing a second insulating layer so that gaps can form between neighboring metal areas, or to obtain a porous layer. The removal of the first insulating layer is performed through a mask, to leave in place guard areas of the first insulating layer around the portions of the metal areas intended for being contacted by a via crossing the second insulating layer.

Eine Verkörperung der Erfindung wird auf eine Methode der Formung eines Metallizationniveaus einer integrierten Schaltung einschließlich die Schritte der Formung von von Metallbereichen eines Metallizationniveaus verwiesen, das seitlich durch eine erste Isolierschicht getrennt wird und entfernt die erste Isolierschicht und non-conformally legt eine zweite Isolierschicht, damit Abstände zwischen benachbarten Metallbereichen sich bilden können, oder eine poröse Schicht zu erreichen nieder. Mit der Abbau der ersten Isolierschicht wird durch eine Schablone durchgeführt, um in Platzschutzbereiche der ersten Isolierschicht um die Teile der Metallbereiche zu gehen, die für durch a über die Kreuzung der zweiten Isolierschicht in Verbindung getreten werden bestimmt sind.

 
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