Methods for Heating a Fluidized Bed Silicon Deposition Apparatus with the steps of: one or more heaters and entries to the reactor for the gas or gases which can be heated without decomposition separate from one or more heaters and entries for the gas or gases which decompose to form silicon when heated, heating the gas or gases which do not decompose to temperatures between 400-2000 C., more preferably 800-1600 C., heating the gases which do decompose thermally to temperatures less than the temperature at which they decompose, typically 25-400 C., preferably 300-350 C., and alternatively or in combination with the above steps also providing a means for removal of the silicon beads, heating the beads to a temperature between 800-1200 C. and preferably to a temperature between 900-1100 C. and returning the beads to the reactor. Providing localized cooling of the entries for the thermally decomposable gases. These two heating methods either alone or in combination can provide all the heat needed to operate the reactor in the desired operating range of 800-1100 C. and can provide the heat at the inlet of the reactor where the cold silicon containing gases need to be raised to the operating temperature of the reactor. Heating the non decomposing gases and the silicon beads outside the reactor can be accomplished easily with a variety of low cost heating techniques. Other benefits include, higher flow rates in the reactor, higher production rates, larger and more spherical beads, increased deposition efficiency and reduced risk of sintering and plugging.

Methodes om een Vloeibaar gemaakt Apparaat van het Deposito van het Silicium van het Bed met de stappen van Te verwarmen: één of meerdere verwarmers en ingangen aan de reactor voor het gas of de gassen dat zonder decompositie kunnen worden verwarmd afzonderlijk van één of meerdere verwarmers en ingangen voor het gas of de gassen die ontbinden om silicium te vormen wanneer verwarmd, verwarmend het gas of de gassen die niet aan temperaturen tussen 400-2000 C. ontbinden, liever 800-1600 C., dat de gassen verwarmt die thermaal aan temperaturen minder dan de temperatuur ontbinden waarbij zij, typisch 25-400 C., bij voorkeur 300-350 C. ontbinden, en alternatief of in combinatie met de bovengenoemde stappen die ook een middel verstrekken voor verwijdering van de siliciumparels, het verwarmen van de parels aan een temperatuur tussen 800-1200 C. en bij voorkeur aan een temperatuur parels aan de reactor. Het verstrekken van het gelokaliseerde koelen van de ingangen voor de thermaal ontbindbare gassen. Deze twee verwarmingsmethoden of alleen of in combinatie kunnen al hitte verstrekken nodig om de reactor in de gewenste werkende waaier van 800-1100 C. in werking te stellen en kunnen de hitte bij de inham van de reactor verstrekken waar het koude silicium dat gassen bevat aan de werkende temperatuur van de reactor moet worden opgeheven. Het verwarmen van de niet ontbindende gassen en de siliciumparels buiten de reactor kan gemakkelijk met een verscheidenheid van lage kosten het verwarmen technieken worden verwezenlijkt. Andere voordelen omvatten, hogere stroomtarieven in de reactor, hogere productietarieven, grotere en sferischere parels, verhoogde depositoefficiency en verlaagd risico om te sinteren en te stoppen.