Disclosed is a dry cleaning apparatus and method using cluster for cleaning a surface of a specimen such as semiconductor wafer. The cleaning method first forms a neutral cluster no having polarity by passing a cleaning gas such as argon, nitrogen, or carbon dioxide gas through a sand glass-shaped nozzle. The formed neutral cluster is injected at an acute angle with respect to a surface of the specimen, thereby removing particles or organic remnants attached on the surface of the specimen without damaging the surface of the specimen.

Αποκαλύπτονται μια συσκευή και μια μέθοδος στεγνού καθαρισμού χρησιμοποιώντας τη συστάδα για τον καθαρισμό μιας επιφάνειας ενός δείγματος όπως η γκοφρέτα ημιαγωγών. Η μέθοδος καθαρισμού πρώτος διαμορφώνει μια ουδέτερη συστάδα καμία κατοχή της πολικότητας με τη διάβαση ενός καθαρισμού αέριο όπως το αργό, το άζωτο, ή το διοξείδιο του άνθρακα αέριο μέσω ενός γυαλί-διαμορφωμένου άμμος ακροφυσίου. Η διαμορφωμένη ουδέτερη συστάδα εγχέεται σε μια οξεία γωνία όσον αφορά μια επιφάνεια του δείγματος, με αυτόν τον τρόπο αφαιρώντας τα μόρια ή τα οργανικά υπόλοιπα που συνδέονται στην επιφάνεια του δείγματος χωρίς καταστροφή της επιφάνειας του δείγματος.

 
Web www.patentalert.com

< (none)

< Semiconductor device having a low dielectric layer as an interlayer insulating layer

> Dual damascene processing for semiconductor chip interconnects

> (none)

~ 00045