A Ti film is formed by chemical vapor deposition in holes formed in an insulating film formed on a Si substrate or on a Si film formed on a Si substrate by a method comprising the steps of: loading a Si substrate into a film forming chamber; evacuating the chamber at a predetermined vacuum; supplying TiCl.sub.4 gas, H.sub.2 gas, Ar gas and SiH.sub.4 gas into the film forming chamber; and producing a plasma in the film forming chamber to deposit a Ti film in the holes formed in the insulating film. The Si substrate is heated at a temperature of from 550 to 700.degree. C. during the deposition of the Ti film, and the flow rates of the processing gases are regulated so that Si-to-insulator selectivity is not less than one. This method enables formation of a Ti film on a Si base at positions of holes in an insulating layer, with a good morphology of the interface between the Si base and the Ti film and with a good step coverage.

Un film de Ti est constitué par la déposition en phase vapeur en trous formés dans un film isolant formé sur un substrat de silicium ou sur un film de silicium formé sur un substrat de silicium par une méthode comportant les étapes de : chargement d'un substrat de silicium dans un film formant la chambre ; évacuation de la chambre à un vide prédéterminé ; gaz TiCl.sub.4 d'approvisionnement, gaz H.sub.2, gaz d'Ar et gaz SiH.sub.4 dans le film formant la chambre ; et la production d'un plasma dans le film formant la chambre pour déposer un film de Ti dans les trous a formé dans le film isolant. Le substrat de silicium est chauffé à une température de de 550 à 700.degree. Le C. pendant le dépôt du film de Ti, et les débits des gaz de traitement sont réglés de sorte que la sélectivité d'Silicium-à-isolateur ne soit pas moins d'une. Cette méthode permet la formation d'un film de Ti sur une base de silicium aux positions des trous dans une couche de isolation, avec une bonne morphologie de l'interface entre la base de silicium et le film de Ti et avec une bonne assurance d'étape.