A memory device includes a plurality of cells, each having a first electrode coupled to a first location on semiconductor material, a second electrode coupled to a second location disposed away from the first location on the semiconductor material and a plurality of islands of semiconductor material. The islands have a maximum dimension of three to five nanometers and are surrounded by an insulator having a thickness of between five and twenty nanometers. The islands and the surrounding insulator are formed in pores extending into the semiconductor material between the first and second electrodes. As a result, the memory cells are able to provide consistent, externally observable changes in response to the presence or absence of a single electron on the island.

Een geheugenapparaat omvat een meerderheid van cellen, elk die een eerste elektrode heeft die aan een eerste plaats op halfgeleidermateriaal wordt gekoppeld, een tweede elektrode die aan een tweede plaats wordt gekoppeld die vanaf de eerste plaats op het halfgeleidermateriaal wordt geschikt en een meerderheid van eilanden van halfgeleidermateriaal. De eilanden hebben een maximumafmeting van drie tot vijf nanometers en door een isolatie omringd die een dikte van tussen vijf twintig nanometers hebben. De eilanden en de omringende isolatie worden gevormd in poriën zich uitbreidt in het halfgeleidermateriaal tussen de eerste en tweede elektroden. Dientengevolge, kunnen de geheugencellen verenigbare, uiterlijk waarneembare veranderingen in antwoord op de aanwezigheid of de afwezigheid van één enkel elektron op het eiland verstrekken.