First and second magnetic layers are laminated though a tunnel barrier layer, wherein a region is formed in which change in a magnetic resistance ratio with respect to change in a voltage applied in such a manner that the second magnetic layer has a lower potential as compared with the potential of the first magnetic layer is smaller than change in a magnetic resistance ratio with respect to change in a voltage applied in such a manner that the second magnetic layer has a higher potential as compared with the potential of the first magnetic layer. Voltage is applied to the magnetic tunnel device in such a manner that the potential of the second magnetic layer is lower than that of the first magnetic layer so that dependency of the magnetic resistance ratio on the voltage is reduced. Thus, a stable tunnel current flows.

Des couches d'abord et en second lieu magnétiques sont stratifiées bien qu'une couche-barrière de tunnel, où une région est formée dans laquelle le changement d'un rapport magnétique de résistance en ce qui concerne le changement d'une tension s'est appliqué de façon que la deuxième couche magnétique ait un potentiel inférieur par rapport au potentiel de la première couche magnétique soit plus petite que le changement d'un rapport magnétique de résistance en ce qui concerne le changement d'une tension appliquée de façon que la deuxième couche magnétique ait un potentiel plus élevé par rapport au potentiel de la première couche magnétique. La tension est appliquée au dispositif magnétique de tunnel de façon que le potentiel de la deuxième couche magnétique soit inférieur à celui de la première couche magnétique de sorte que la dépendance du rapport magnétique de résistance sur la tension soit réduite. Ainsi, écoulements stables d'un courant de tunnel.