There is provided copper targets for sputtering capable of forming a deposition film with low electric resistance indispensable for high-speed operation elements and also with excellent thickness uniformity, and such thin copper films. A high-purity copper sputtering target is characterized by comprising up to 0.1 ppm each Na and K, up to 1 ppm each Fe, Ni, Cr, Al, Ca, Mg, up to 5 ppm each carbon and oxygen, up to 1 ppb each U and Th, and, excluding gaseous constituents, more than 99.999% copper. Preferably the average grain size on the sputter surface is 250 .mu.m or below, with its dispersion thin plus or minus 20%. I(111)/I(200) of X-ray diffraction peak intensity on the sputter plane is at least 2.4 with its dispersion within plus or minus 20%.

Hay blancos de cobre proporcionadas para farfullar capaz de formar una película de la deposición con la indispensable baja de la resistencia eléctrica para los elementos de alta velocidad de la operación y también con uniformidad excelente del grueso, y tales películas de cobre finas. Una blanco de cobre de gran pureza de la farfulla es caracterizada abarcando hasta 0.1 PPM cada Na y K, hasta 1 PPM cada FE, Ni, cr, al, CA, magnesio, hasta 5 PPM cada carbón y oxígeno, hasta 1 ppb cada U y th, y, excepto los componentes gaseosos, más cobre de 99.999%. El tamaño de grano medio en la superficie de la farfulla es preferiblemente el mu.m 250 o abajo, con su dispersión enrarezca más o menos el 20%. I(111)/I(200) del pico de la difracción de radiografía intensidad en el plano de la farfulla es por lo menos 2.4 con su dispersión dentro del más o menos el 20%.