Highe quality silicon oxide having a plurality of monolayers is grown at a high temperature on a silicon substrate. A monolayer of silicon oxide is a single layer of silicon atoms and two oxygen atoms per silicon atom bonded thereto. The silicon oxide is etched one monolayer at a time until a desired thickness of the silicon layer is obtained. Each monolayer is removed by introducing a first gas to form a reaction layer on the silicon oxide. The gas is then purged. Then the reaction layer is activated by either another gas or heat. The reaction layer then acts to remove a single monolayer. This process is repeated until a desired amount of silicon oxide layer remains. Because this removal process is limited to removing one monolayer at a time, the removal of silicon oxide is well controlled. This allows for a precise amount of silicon oxide to remain.

L'oxyde de silicium de qualité de Highe ayant une pluralité de monocouches est développé à température élevée sur un substrat de silicium. Une monocouche d'oxyde de silicium est une seule couche d'atomes de silicium et de deux atomes d'oxygène par atome de silicium collé là-dessus. L'oxyde de silicium est gravé à l'eau-forte une monocouche à la fois jusqu'à ce qu'une épaisseur désirée de la couche de silicium soit obtenue. Chaque monocouche est enlevée en présentant un premier gaz pour former une couche de réaction sur l'oxyde de silicium. Le gaz est alors purgé. Alors la couche de réaction est activée par un autre gaz ou une chaleur. La couche de réaction agit alors d'enlever une monocouche simple. Ce processus est répété jusqu'à ce qu'une quantité désirée d'une couche d'oxyde de silicium demeure. Puisque ce procédé de déplacement est limité à enlever une monocouche à la fois, le déplacement de l'oxyde de silicium est bien commandé. Ceci tient compte d'une quantité précise d'oxyde de silicium pour rester.