A method of chemical-mechanical polishing for forming a shallow trench isolation is disclosed. A substrate having a number of active regions, including a number of relative large active regions and a number of relative small active regions, is provided. The method comprises the following steps. A silicon nitride layer on the substrate is first formed. A number of shallow trenches are formed between the active regions. An oxide layer is formed over the substrate, so that the shallow trenches are filled with the oxide layer. A partial reverse active mask is formed on the oxide layer. The partial rever active mask has an opening at a central part of each relative large active region. The opening exposes a portion of the oxide layer. The opening has at least a dummy pattern. The oxide layer on the central part of each large active region is removed to expose the silicon nitride layer. The partial reverse active mask is removed. The oxide layer is planarized to expose the silicon nitride layer.

Um método de lustrar produto-mecânico para dar forma a uma isolação rasa da trincheira é divulgado. Uma carcaça que tem um número de regiões ativas, including um número de regiões ativas grandes relativas e um número de regiões ativas pequenas relativas, é fornecida. O método compreende as seguintes etapas. Uma camada do nitride de silicone na carcaça é dada forma primeiramente. Um número de trincheiras rasas são dadas forma entre as regiões ativas. Uma camada do óxido é dada forma sobre a carcaça, de modo que as trincheiras rasas sejam enchidas com a camada do óxido. Uma máscara ativa reversa parcial é dada forma na camada do óxido. A máscara ativa do rever parcial tem uma abertura em uma parte central de cada região ativa grande relativa. A abertura expõe uma parcela da camada do óxido. A abertura tem ao menos um teste padrão dummy. A camada do óxido na parte central de cada região ativa grande é removida para expo a camada do nitride de silicone. A máscara ativa reversa parcial é removida. A camada do óxido é planarized para expo a camada do nitride de silicone.