A thin-film transistor of a liquid crystal display device includes an ohmic electrode such that the ohmic electrode is formed of a first conductor film of a refractory metal element defined by a first lateral edge and a second conductor film containing Al and defined by a second lateral edge, wherein the second lateral edge is receded with respect to the first lateral edge when viewed in a direction perpendicular to a substrate on which the thin-film transistor is formed.

Een thin-film transistor van een apparaat van de vloeibare kristalvertoning omvat een ohmic elektrode dusdanig dat de ohmic elektrode van een eerste leiderfilm van een vuurvast metaalelement gevormd wordt dat door een eerste zijrand wordt bepaald en een tweede leiderfilm die Al bevat en dat door een tweede zijrand wordt bepaald, waarin de tweede zijrand met betrekking tot de eerste zijrand wanneer bekeken in een richtingsloodlijn aan een substraat is achteruitgegaan waarop de thin-film transistor wordt gevormd.